Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| III/V半導體 | |
| 其他题名 | III/V半導體 |
| KUNERT, BERNARDETTE; KOCH, JÖRG; REINHARD, STEFAN; VOLZ, KERSTIN; STOLZ, WOLFGANG | |
| 2009-07-03 | |
| 专利权人 | PHILIPPS UNIVERSITÄT MARBURG |
| 公开日期 | 2009-07-03 |
| 授权国家 | 中国香港 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及包含基于掺杂Si或掺杂GaP的载体层和安排在所述载体层上并含有成分Gaxlny－NaAsbPcSbd的III/V半导体的单片集成半导体结构，其中x＝70－100摩尔％，y＝0－30摩尔％，a＝0.5－15摩尔％，b＝67.5－99.5摩尔％，c＝0－32.0摩尔％，以及d＝0－15摩尔％。根据本发明，x和y总是合计为100摩尔％，且a、b、c和d总是合计为100摩尔％。x和y的总和与a、b、c和d的总和之比基本上等于1∶1。本发明还涉及用于产生所述半导体结构的方法，并涉及用其来产生被单片集成到基于Si或GaP技术的集成电路中的发光二极管和激光二极管，或调制器和检测器结构。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及包含基于掺杂Si或掺杂GaP的载体层和安排在所述载体层上并含有成分Gaxlny－NaAsbPcSbd的III/V半导体的单片集成半导体结构，其中x＝70－100摩尔％，y＝0－30摩尔％，a＝0.5－15摩尔％，b＝67.5－99.5摩尔％，c＝0－32.0摩尔％，以及d＝0－15摩尔％。根据本发明，x和y总是合计为100摩尔％，且a、b、c和d总是合计为100摩尔％。x和y的总和与a、b、c和d的总和之比基本上等于1∶1。本发明还涉及用于产生所述半导体结构的方法，并涉及用其来产生被单片集成到基于Si或GaP技术的集成电路中的发光二极管和激光二极管，或调制器和检测器结构。 |
| 申请日期 | 2008-12-10 |
| 专利号 | HK1124179A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | HK08113438 |
| 公开（公告）号 | HK1124179A |
| IPC 分类号 | H01S |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | 中國專利代理(香港)有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82481 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PHILIPPS UNIVERSITÄT MARBURG |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KUNERT, BERNARDETTE,KOCH, JÖRG,REINHARD, STEFAN,等. III/V半導體. HK1124179A[P]. 2009-07-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101268592A.PDF（1186KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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