Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种高功率半导体激光器 | |
| 其他题名 | 一种高功率半导体激光器 |
商毅博; 王警卫 ; 侯栋; 高立军; 马琛阳; 刘兴胜
| |
| 2017-03-29 | |
| 专利权人 | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 公开日期 | 2017-03-29 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型提供一种高功率半导体激光器，包括：基础热沉、正极连接块、负极连接块、以及激光器芯片组；其中，所述正极连接块、负极连接块、以及激光器芯片组通过导热绝缘层键合于所述基础热沉上，激光器芯片堆叠方向的两个端面分别作为激光器芯片组的正极端和负极端；分别在所述正极连接块和所述负极连接块上设置刻槽结构，所述正极连接块和负极连接块分别通过所述刻槽结构，经正电极片和负电极片与所述激光器芯片组的正极和负极连接。基于本实用新型提供的高功率半导体激光器，能够有效地避免激光器芯片组和热沉之间的短路，提高了产品可靠性和生产效率。 |
| 其他摘要 | 本实用新型提供一种高功率半导体激光器，包括：基础热沉、正极连接块、负极连接块、以及激光器芯片组；其中，所述正极连接块、负极连接块、以及激光器芯片组通过导热绝缘层键合于所述基础热沉上，激光器芯片堆叠方向的两个端面分别作为激光器芯片组的正极端和负极端；分别在所述正极连接块和所述负极连接块上设置刻槽结构，所述正极连接块和负极连接块分别通过所述刻槽结构，经正电极片和负电极片与所述激光器芯片组的正极和负极连接。基于本实用新型提供的高功率半导体激光器，能够有效地避免激光器芯片组和热沉之间的短路，提高了产品可靠性和生产效率。 |
| 申请日期 | 2016-07-29 |
| 专利号 | CN206059901U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201620811844.9 |
| 公开（公告）号 | CN206059901U |
| IPC 分类号 | H01S5/024 | H01S5/02 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82472 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 商毅博,王警卫,侯栋,等. 一种高功率半导体激光器. CN206059901U[P]. 2017-03-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN206059901U.PDF（72KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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