Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 川中 敏; 田中 俊明 | |
| 1995-06-23 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 1995-06-23 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】素子抵抗が低く、且つ低電圧で駆動することができ、高周波信号に対する応答性に優れた半導体レーザ素子を提供する。 【構成】コンタクト層に用いるGaAsとクラッド層に用いるAlGaInPの禁制帯幅のほぼ中間の禁制帯幅を持つAlGaAsバッファ層をクラッド層とコンタクト層の間に形成し、バッファ層のホール濃度を1019cm-3程度としてコンタクト層と同等のホール濃度に設定した。 【効果】従来の構造に比べると、素子抵抗を20〜30%低減することができ、駆動電圧を下げるとともに高周波特性が向上し、制御性の優れた半導体レーザ素子を実現できた。 |
| 其他摘要 | 用途：为了降低AlGaInP半导体激光器的元件电阻，并实现激光的低电压驱动，通过在接触层和接触层之间形成禁止带宽几乎位于GaAs接触层和AlGaInP包层之间的AlGaAs缓冲层。包层。组成：一个N型AlGaInP包层3，一个禁带宽小于包层的有源层4，和一个P型包层5按顺序层叠在N-GaAs衬底1和双异质结构形成了。依次层叠蚀刻停止层6，包层7，缓冲层8和盖层。通过化学蚀刻盖层，缓冲层8和包层7，形成条形脊，然后通过掩埋生长形成阻挡层9。形成AlXGa1-XAs缓冲层10，并且Al组分X设定为0.25。形成P-GaAs接触层11。通过电极工艺蒸发P和N表面的电极12,13。 |
| 申请日期 | 1993-12-09 |
| 专利号 | JP1995162082A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993308892 |
| 公开（公告）号 | JP1995162082A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82135 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川中 敏,田中 俊明. 半導体レーザ素子. JP1995162082A[P]. 1995-06-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995162082A.PDF（27KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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