Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| OOMURA ETSUJI; SUZAKI WATARU | |
| 1984-05-23 | |
| 专利权人 | MITSUBISHI DENKI KK |
| 公开日期 | 1984-05-23 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To lower resistance, and to obtain the semiconductor laser operating at low threshold currents by replacing an InP layer with an InGaAsP layer. CONSTITUTION:A second N-InGaAsP layer 102 as an active layer and a third N-InGaAsP layer 303 are formed on a first N-InGaAsP layer 301 in succession through a liquid growth method, etc. The forbidden band width Eg2 of the layer 102 is made smaller than the forbidden band width Eg1, Eg3 of other layers 301, 303 at that time because currents are to be concentrated to an active region. One parts of the layers 301, 102, 303 are inverted into a P type through a diffusion method to form a P type diffusion region 104. Accordingly, resistivity is lowered and the stable laser of a lateral mode can be obtained by low threshold currents, and processes such as complicate twice growth are not required for manufacture, and yield on manufacture can be improved remarkably. |
| 其他摘要 | 目的：降低电阻，并通过用InGaAsP层代替InP层获得在低阈值电流下工作的半导体激光器。构成：通过液体生长法等，在第一N-InGaAsP层301上依次形成作为有源层的第二N-InGaAsP层102和第三N-InGaAsP层303.层102的禁带宽度Eg2小于其他层301,303的禁带宽度Eg1，Eg3，因为电流将被集中到有源区域。通过扩散方法将层301,102,303的一部分反转为P型，以形成P型扩散区104.因此，降低了电阻率，并且可以通过低阈值电流获得横向模式的稳定激光器，并且不需要诸如复杂的两次生长的工艺，并且可以显着地改善制造的成品率。 |
| 申请日期 | 1982-11-15 |
| 专利号 | JP1984089484A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1982201316 |
| 公开（公告）号 | JP1984089484A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/22 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81993 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI DENKI KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | OOMURA ETSUJI,SUZAKI WATARU. Semiconductor laser. JP1984089484A[P]. 1984-05-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1984089484A.PDF（175KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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