Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体装置の製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 近藤 真人; 穴山 親志; 小路 元 | |
| 2002-10-18 | |
| 专利权人 | 富士通株式会社 |
| 公开日期 | 2002-12-24 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 面方位が(100)以外の、または表面に段差、溝またはリッジ等が形成されたV族元素にAsを含むIII-V族化合物半導体基板を使用した、新たな半導体装置の製造技術を提供する。 【構成】 (100)面が表出した平坦面と、(n11)B面(nは1≦nの実数)が表出した斜面とを含む表面を有するIII-V族化合物半導体の段差基板を準備する工程と、前記段差基板の上に、p型不純物とn型不純物を同時にまたは交互にドーピングしつつ、前記斜面に沿う領域でn型、前記平坦面に沿う領域でp型になるようにIII-V族化合物半導体をエピタキシャルに成長するエピタキシャル成長工程とを含む。 |
| 其他摘要 | 目的：通过使用具有由（n11）-A平面（n> 1,3或 - 通过外延生长形成具有由（311）-A平面构成的表面的GaAs衬底1。当使用（311）-A基板1时，可以形成高浓度的基区，因为碳掺杂可以以高水平进行，该高水平是使用（100）基板时获得的高水平的10倍。 。 |
| 申请日期 | 1994-03-04 |
| 专利号 | JP3360105B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994034883 |
| 公开（公告）号 | JP3360105B2 |
| IPC 分类号 | H01L29/812 | H01S5/30 | H01L | H01L21/203 | H01S5/183 | H01L29/02 | H01S5/00 | H01S5/223 | H01L29/778 | H01L21/335 | H01L29/04 | H01L21/338 | H01L21/205 | H01L29/73 | H01S | H01S5/323 | H01L21/02 | H01L21/331 | H01L29/737 |
| 专利代理人 | 高橋 敬四郎 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81913 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 真人,穴山 親志,小路 元. 半導体装置の製造方法. JP3360105B2[P]. 2002-10-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3360105B2.PDF（110KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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