Semiconductor laser device and manufacture thereof

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	Semiconductor laser device and manufacture thereof
其他题名	Semiconductor laser device and manufacture thereof
	ARIMOTO SATOSHI
	1992-05-18
专利权人	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
公开日期	1992-05-18
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To improve a characteristic in a second growth of the interface between a first upper clad layer of an AlGaAs system and a block layer, by using the structure, in which removed is, an etching stopper layer of GaInP, from the region other than the ridge part, on the first upper clad layer of an AlGaAs system provided on an activated layer. CONSTITUTION:On a first upper clad layer 4b of p-type AlGaAs, provided is the regular mesa ridge of a three-layer structure comprising a p-type GaAs layer 5, a second upper clad layer 4c of p-type AlGaAs, and a p-type GaInP layer 9, and is used as the shape of a device. Thereafter, using a dielectric film 6 as a mask for a selective growth, the second epitaxial growth by an MOCVD method is performed. Thereby, a block layer 7 of n-type GaAs is made to grow so as to embed a ridge structure 10b thereinto. Thereafter, the dielectric film 6 is removed, and by a third epitaxial growth, a contact layer 8 of p-type GaAs is formed. Further, on the reverse of a substrate 1 and on the surface of the contact layer 8, an n-side electrode 15 and a P side electrode 16 are provided respectively, and by cutting and opening, end faces 17, 18 are formed. As a result, the characteristic in the second growth of the interface between the first upper clad layer of AlGaAs and the block layer of GaAs can be improved to a great extent.
其他摘要	用途：为了改善AlGaAs系统的第一上包层与阻挡层之间界面的第二次生长的特性，通过使用其中除去的结构，GaInP的蚀刻停止层，来自除了以外的区域在活化层上提供的AlGaAs系统的第一上包层上的脊部分。组成：在p型AlGaAs的第一上包层4b上，提供三层结构的常规台面脊，包括p型GaAs层5，p型AlGaAs的第二上包层4c和a p型GaInP层9，用作器件的形状。此后，使用介电膜6作为用于选择性生长的掩模，执行通过MOCVD方法的第二外延生长。由此，使n型GaAs的阻挡层7生长，以便在其中嵌入脊结构10b。此后，去除介电膜6，并通过第三外延生长，形成p型GaAs的接触层8。此外，在基板1的反面和接触层8的表面上，分别设置n侧电极15和P侧电极16，并且通过切割和开口，形成端面17,18。结果，可以在很大程度上改善第一AlGaAs上包层和GaAs阻挡层之间界面的第二次生长的特性。
申请日期	1990-10-05
专利号	JP1992144296A
专利状态	失效
申请号	JP1990268822
公开（公告）号	JP1992144296A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81825
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	ARIMOTO SATOSHI. Semiconductor laser device and manufacture thereof. JP1992144296A[P]. 1992-05-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1992144296A.PDF（505KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文