Surface emitting semiconductor laser

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	Surface emitting semiconductor laser
其他题名	Surface emitting semiconductor laser
	TANAKA, AKIRA
	2004-02-03
专利权人	KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
公开日期	2004-02-03
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A surface emitting semiconductor laser capable of improving high temperature properties is provided. In a surface emitting semiconductor laser, as well width of an active layer is set at from 4 nm to 6 nm and the number of wells thereof is set at one or two In addition, above and below the active layer, InGaAlP clad layers are formed, and in a stacking direction of the active layer, through the above and below clad layers each, further above and below thereof, light reflecting layers are formed.
其他摘要	提供一种能够改善高温性能的表面发射半导体激光器。在表面发射半导体激光器中，有源层的宽度设定为4nm至6nm，并且其孔的数量设定为一个或两个。此外，在有源层的上方和下方，形成InGaAlP包层。并且，在有源层的堆叠方向上，通过上下包层，每个上层和下层，形成光反射层。
申请日期	2001-11-05
专利号	US6687276
专利状态	授权
申请号	US09/992990
公开（公告）号	US6687276
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/183 \| H01S5/343 \| H01S5/042 \| H01S5/42
专利代理人	-
代理机构	HOGAN & HARTSON,LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81702
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
推荐引用方式 GB/T 7714	TANAKA, AKIRA. Surface emitting semiconductor laser. US6687276[P]. 2004-02-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6687276.PDF（304KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文