Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 満原 学; 馬渡 宏泰; 杉浦 英雄 | |
| 2000-04-21 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 2000-04-21 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 注入電流の変化に伴う発振波長の変動を抑制するとともに、高い光出力を得るのに好適な半導体レーザを提供する。 【解決手段】 活性層19を挟んで下側に設けられた光閉じ込め層を、異なる屈折率を有する2つのInGaAsP層17,18から構成し、活性層19を挟んで上側に設けられた光閉じ込め層を、異なる屈折率を有する2つのInGaAsP層20,21から構成するとともに、InGaAs光閉じ込め層21のp型InPクラッド層22側の面に回折格子を設けた。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供适合于获得高光输出的半导体激光器，同时抑制伴随注入电流的变化的振荡波长的波动。 解决方案：设置在夹着有源层19的下侧的光学限制层由具有不同折射率的两个InGaAsP层17和18组成，并且在上侧设置夹着有源层19的光学限制层。该层由具有不同折射率的两个InGaAsP层20和21组成，并且衍射光栅设置在p型InP包层22侧的InGaAs光限制层21的表面上。 |
| 申请日期 | 1998-10-05 |
| 专利号 | JP2000114652A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998282625 |
| 公开（公告）号 | JP2000114652A |
| IPC 分类号 | H01S5/12 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 森 哲也 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81650 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 満原 学,馬渡 宏泰,杉浦 英雄. 半導体レーザ. JP2000114652A[P]. 2000-04-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000114652A.PDF（58KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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