窒化物半導体レーザ素子

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	窒化物半導体レーザ素子
其他题名	窒化物半導体レーザ素子
	山田孝夫; 松下俊雄; 中村修二
	1999-07-09
专利权人	日亜化学工業株式会社
公开日期	1999-07-09
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】単一のNFP、FFPを有し、低閾値でシングルモードのレーザ光を長時間発振させる。【構成】 p側クラッド層は少なくともAlを含む窒化物半導体層を有する超格子よりなり、そのp側クラッド層の一部、若しくは全部に前記リッジストライプが形成されており、さらにそのリッジのストライプ幅の少なくとも一方が共振面に接近するに従って狭くなるように形成されていることにより水平横モードをシングルにすると共に、超格子よりなるn側クラッド層全体の厚さを0.5μm以上として、n側クラッド層に含まれるAl平均組成を百分率(%)で表した際に、n側クラッド層全体の厚さ(μm)とAl平均組成(%)との積が4.4以上となるように構成することにより垂直横モードをシングルにする。
其他摘要	[目的]长时间振荡具有低阈值和单个NFP和FFP的单模激光。 p侧包覆层由超晶格形成，该超晶格具有至少包含Al的氮化物半导体层，脊形条纹形成在p侧包覆层的一部分或全部上，并且脊部的条带宽度形成为随着接近共振表面而变窄，从而使水平横向模式为单一，并且使超晶格的n侧包覆层的总厚度为0.5μm以上，n侧包层当层中包含的Al的平均组成以百分比（％）表示时，整个n侧包覆层的厚度（μm）与Al的平均组成（％）的乘积为4.4或更大使垂直水平模式单一。
申请日期	1997-12-22
专利号	JP1999186659A
专利状态	失效
申请号	JP1997352540
公开（公告）号	JP1999186659A
IPC 分类号	H01L33/34 \| H01S5/30 \| H01H11/06 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L33/06 \| H01H15/04 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01H1/36 \| H01L33/44 \| H01L33/28 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81494
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日亜化学工業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	山田孝夫,松下俊雄,中村修二. 窒化物半導体レーザ素子. JP1999186659A[P]. 1999-07-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999186659A.PDF（51KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文