Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Semiconductor laser | |
其他题名 | Semiconductor laser |
FUKUDA, CHIE | |
2014-05-27 | |
专利权人 | SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. |
公开日期 | 2014-05-27 |
授权国家 | 美国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | A semiconductor laser includes a gain region; a distributed Bragg reflector (DBR) region including a diffraction grating; an end facet facing the DBR region with the gain region arranged therebetween; a first ring resonator including a first ring-like waveguide and a first optical coupler; a second ring resonator including a second ring-like waveguide and a second optical coupler; and an optical waveguide that is optically coupled to the end facet and extending in a predetermined optical-axis direction. The first and second ring resonators are optically coupled to the optical waveguide through the first and second optical couplers, respectively. Also, the DBR region, the gain region, and the end facet constitute a laser cavity. Further, the first ring resonator has a free spectral range different from a free spectral range of the second ring resonator. |
其他摘要 | 半导体激光器包括增益区域;包括衍射光栅的分布式布拉格反射器(DBR)区域;面向DBR区域的端面,增益区域设置在它们之间;第一环形谐振器,包括第一环状波导和第一光耦合器;第二环形谐振器,包括第二环状波导和第二光耦合器;光学波导,其光学耦合到端面并沿预定的光轴方向延伸。第一和第二环形谐振器分别通过第一和第二光学耦合器光学耦合到光学波导。而且,DBR区域,增益区域和端面构成激光腔。此外,第一环形谐振器具有与第二环形谐振器的自由光谱范围不同的自由光谱范围。 |
申请日期 | 2011-03-14 |
专利号 | US8737446 |
专利状态 | 授权 |
申请号 | US13/046866 |
公开(公告)号 | US8737446 |
IPC 分类号 | H01S5/00 |
专利代理人 | - |
代理机构 | SMITH, GAMBRELL & RUSSELL LLP |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81416 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. |
推荐引用方式 GB/T 7714 | FUKUDA, CHIE. Semiconductor laser. US8737446[P]. 2014-05-27. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
US8737446.PDF(1495KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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