Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 勝井 明憲 | |
| 1994-02-02 | |
| 专利权人 | NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE |
| 公开日期 | 1994-02-02 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | PURPOSE:To obtain a current injection type semiconductor laser characterized by excellent quality, high reliability and blue-color emission by using a ternary compound semiconductor of a defect type chalcopyrite group whose lattice aligning conditions with Si, GaP and ZnS which are practical substrate crystal materials are excellent as clad layers and an active layer. CONSTITUTION:A substrate crystal 2 comprises a crystal which is selected from Si, GaP and ZnS. A first clad layer 3, an active layer 4 and a second clad layer 5 are constituted with ZnxCd1-xGa2(SySe1-y)4 (0 |
| 其他摘要 | 目的：通过使用缺陷型黄铜矿组的三元化合物半导体，其晶格取向条件为Si，GaP和ZnS作为实用的基板晶体材料，获得具有优异品质，高可靠性和蓝色发光特性的电流注入型半导体激光器作为包层和活性层是优秀的。组成：基板晶体2包括选自Si，GaP和ZnS的晶体。第一包层3，有源层4和第二包层5由ZnxCd1-xGa2（SySe1-y）4（0 |
| 申请日期 | 1988-07-08 |
| 专利号 | JP1994009281B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1988170244 |
| 公开（公告）号 | JP1994009281B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 高山 敏夫 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81397 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 勝井 明憲. 半導体レーザ. JP1994009281B2[P]. 1994-02-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994009281B2.PDF（12KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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