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発光素子
其他题名発光素子
狩野 隆司
2003-06-20
专利权人三洋電機株式会社
公开日期2003-09-02
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要【目的】 広く、滑らかな劈開面が容易に得られる基板を用いることで品質の安定,特性の向上を図る。 【構成】 α面のα-SiC基板1の表面にn型のGaN層2等の窒化ガリウム系化合物層をエピタキシャル成長させ、c軸方向と直交する方向(c面)に沿って劈開する。
其他摘要【目的】通过使用易于获得宽而平滑的解理面的基质来提高质量和改善特性。 诸如n型GaN层2等的氮化镓化合物层外延生长在α平面α-SiC衬底1的表面上,并沿垂直于c轴方向的方向(c平面)切割。
申请日期1994-10-19
专利号JP3443185B2
专利状态失效
申请号JP1994253784
公开(公告)号JP3443185B2
IPC 分类号H01L | H01S | H01S5/323 | H01S5/343 | C30B29/38 | C30B | H01L21/205 | H01S5/00
专利代理人河野 登夫
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81349
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三洋電機株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
狩野 隆司. 発光素子. JP3443185B2[P]. 2003-06-20.
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