Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
発光素子 | |
其他题名 | 発光素子 |
狩野 隆司 | |
2003-06-20 | |
专利权人 | 三洋電機株式会社 |
公开日期 | 2003-09-02 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 【目的】 広く、滑らかな劈開面が容易に得られる基板を用いることで品質の安定,特性の向上を図る。 【構成】 α面のα-SiC基板1の表面にn型のGaN層2等の窒化ガリウム系化合物層をエピタキシャル成長させ、c軸方向と直交する方向(c面)に沿って劈開する。 |
其他摘要 | 【目的】通过使用易于获得宽而平滑的解理面的基质来提高质量和改善特性。 诸如n型GaN层2等的氮化镓化合物层外延生长在α平面α-SiC衬底1的表面上,并沿垂直于c轴方向的方向(c平面)切割。 |
申请日期 | 1994-10-19 |
专利号 | JP3443185B2 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1994253784 |
公开(公告)号 | JP3443185B2 |
IPC 分类号 | H01L | H01S | H01S5/323 | H01S5/343 | C30B29/38 | C30B | H01L21/205 | H01S5/00 |
专利代理人 | 河野 登夫 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81349 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 三洋電機株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 狩野 隆司. 発光素子. JP3443185B2[P]. 2003-06-20. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP3443185B2.PDF(42KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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