Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光半導体装置 | |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 秋山 傑; 雙田 晴久; 関口 茂昭 | |
| 2007-03-30 | |
| 专利权人 | 富士通株式会社 |
| 公开日期 | 2007-06-27 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】マッハツェンダ型干渉計を有する光半導体装置に関し、電界と半導体のオーバーラップによる電機信号の損失を従来よりも低減すること。 【解決手段】半導体基板1の上に形成された互いに分離された上側クラッド層12,13及びコア層11をそれぞれ有する第1及び第2の光導波路5,6と、第1及び第2の光導波路5,6の上にそれぞれ形成された第1、第2の位相変調電極18a,18bと、第1及び第2の光導波路5,6の両側方の半導体基板1の上に形成され且つエアブリッジ配線19a,19bを介して第1の位相変調電極18aと第2の位相変調電極18bに別々に接続される第1のスロットライン電極17aと第2のスロットライン電極17bとを含む。 【選択図】 図7 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：相对于具有Mach-Zehnder干涉仪的光学半导体器件，减少由于电场和半导体的重叠引起的电信号损失。 解决方案：第一和第二光波导5,6具有在半导体衬底1上形成的上包层12,13和芯层11，第一和第二光导分别形成在波导5和6上的第一和第二相位调制电极18a和18b以及在第一和第二光波导5和6的两侧上的半导体衬底1上形成的第一和第二相位调制电极18a和18b，并且包括第一槽线电极17a和第二槽线电极17b，它们分别通过桥接线19a和19b连接到第一相位调制电极18a和第二相位调制电极18b。 点域7 |
| 申请日期 | 2002-07-18 |
| 专利号 | JP3936256B2 |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | JP2002209761 |
| 公开（公告）号 | JP3936256B2 |
| IPC 分类号 | H01L29/02 | H01S5/00 | G02F1/017 | H01L31/072 | H01S5/042 | H01S5/026 | H01L31/06 | H01L31/102 | H01L31/0328 | H01L31/109 | G02F | H01L31/0336 | H01L29/06 | H01S5/12 | G02F1/225 | H01L31/0264 |
| 专利代理人 | 岡本 啓三 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81323 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秋山 傑,雙田 晴久,関口 茂昭. 光半導体装置. JP3936256B2[P]. 2007-03-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3936256B2.PDF（354KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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