Double heterostructure stripe geometry semiconductor laser device

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	Double heterostructure stripe geometry semiconductor laser device
其他题名	Double heterostructure stripe geometry semiconductor laser device
	YONEZU, HIROO
	1978-12-19
专利权人	NIPPON ELECTRIC COMPANY, LIMITED
公开日期	1978-12-19
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A semiconductor laser device includes a narrow elongated semiconductor region of the same conductivity type as another semiconductor region lying in the vicinity of the active region of the laser device. The elongated region extends in depth from the surface of the device to the vicinity of the active region. A surface semiconductor layer of an opposite conductivity type covers the entire surface of the device except for the elongated region.
其他摘要	半导体激光器件包括与位于激光器件的有源区附近的另一半导体区相同导电类型的细长半导体区。细长区域从器件表面到有源区域附近的深度延伸。除了细长区域之外，相反导电类型的表面半导体层覆盖器件的整个表面。
申请日期	1978-02-14
专利号	USR29866
专利状态	失效
申请号	US05/878187
公开（公告）号	USR29866
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01S5/20 \| H01S5/00 \| H01S3/19
专利代理人	-
代理机构	HOPGOOD,CALIMAFDE,KALIL,BLAUSTEIN & LIEBERMAN
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81305
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON ELECTRIC COMPANY, LIMITED
推荐引用方式 GB/T 7714	YONEZU, HIROO. Double heterostructure stripe geometry semiconductor laser device. USR29866[P]. 1978-12-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
USR29866.PDF（173KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文