Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| KAWANO HIDEO | |
| 1991-10-08 | |
| 专利权人 | 日本電気株式会社 |
| 公开日期 | 1991-10-08 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To obtain a real refractive index distribution without absorption loss by a method wherein an optical guide layer formed like a stripe-like mesa is provided adjacent to an active layer, and a refractive index distribution is formed based on the change of the optical guide layer in thickness. CONSTITUTION:An N-GaAs buffer layer 12, an N-(Al0.6Ga0.4)0.5InP clad layer 13, an active layer 14, an optical guide layer 15, a clad layer, and a P-Ga0.5In0.5P cap layer 17 are successively grown on an N-GaAs substrate 11 possessed of a (100) plane through an MOVPE method. In succession, a stripe-like SiO2 film mask is formed on the cap layer 17. Next, the thickness of the optical guide layer 15 both on the sides of the stripe-like mesa is controlled with an etching solution, and a current blocking layer 18 is selectively grown on the mesa. Then, the SiO2 film mask is removed, a P-GaAs contact layer 19 is grown on all the surface, a P-side electrode 20 is provided to a contact layer 19, and an N-side electrode 21 is built on the substrate 1 |
| 其他摘要 | 目的：通过一种方法获得没有吸收损失的实际折射率分布，其中形成类似条状台面的光导层设置在有源层附近，并且基于光导的变化形成折射率分布层厚。组成：N-GaAs缓冲层12，N-（Al0.6Ga0.4）0.5InP包层13，有源层14，光导层15，包层和P-Ga0.5In0.5P通过MOVPE方法在具有（100）面的N-GaAs衬底11上连续生长盖层17。接着，在盖层17上形成条状SiO2膜掩模。接下来，用条形台面两侧的光导层15的厚度由蚀刻溶液和电流阻挡层控制。在台面上选择性地生长图18所示的结构。然后，去除SiO2膜掩模，在所有表面上生长P-GaAs接触层19，在接触层19上设置P侧电极20，在基板11上构建N侧电极21。。 |
| 申请日期 | 1990-01-31 |
| 专利号 | JP1991227088A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1990023483 |
| 公开（公告）号 | JP1991227088A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/20 | H01S5/22 | H01S5/223 | H01S5/323 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81267 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KAWANO HIDEO. Semiconductor laser. JP1991227088A[P]. 1991-10-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1991227088A.PDF（161KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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