半導体発光素子

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	半導体発光素子
其他题名	半導体発光素子
	早川利郎
	1997-10-07
专利权人	富士写真フイルム株式会社
公开日期	1997-10-07
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】半導体発光素子においてインピーダンスを低減する。【解決手段】サファイア基板1上にn-GaN低温バッファ層2、n-GaNバッファ層3、n-InGaN バッファ層4、n-AlGaN クラッド層5、n-GaN 光ガイド層6、活性層7、p-GaN 光ガイド層8、一部にリッジストライプ部を有するp-AlGaN クラッド層9、リッジストライプ状のp-GaN 下部キャップ層10が積層され、p-AlGaNクラッド層9のリッジストライプ以外の部分に、SiN 膜11を製膜する。さらに、p-GaN 上部キャップ層12をSiN 膜11上およびp-GaN 下部キャップ層10上に成長した後、塩素イオンを用いたRIBEにより発光領域を含む部分以外のエピタキシャル層をn-GaN バッファ層3が露出するまでエッチング除去する。この後、n-GaN バッファ層3上にTi/Al/Ti/Au n側電極14を、また、上部キャップ層12上にNi/Au p側電極13を真空蒸着·窒素中アニールしてオーミック電極を形成する。
其他摘要	要解决的问题：提供阻抗降低的半导体元件。解决方案：在蓝宝石衬底1上顺序形成n-GaN低温缓冲层2，n-GaN缓冲层3，n-InGaN缓冲层4，n-AlGaN包层5，n-GaN光引导层6，有源层7，p-GaN导光层8，部分具有脊条部分的p-AlGaN包层9，以及脊条形状的p-GaN下盖层10，形成于除了脊形条纹部分之外的p-AlGaN包层9的区域是SiN膜1在SiN膜11和p-GaN下盖层10上生长p-GaN上层层12。然后对该结构进行处理。使用氯离子去除除发光区域之外的外延层直到露出n-GaN缓冲层3的反应离子束蚀刻（RIBE）工艺。之后，在n-GaN缓冲层3上形成Ti / Al / Ti / Au n侧电极14，并通过沉积和退火工艺在上盖层12上形成Ni / Au p侧欧姆电极13在氮气氛中。
申请日期	1996-03-28
专利号	JP1997266352A
专利状态	失效
申请号	JP1996074221
公开（公告）号	JP1997266352A
IPC 分类号	H01L33/34 \| H01L33/40 \| H01S5/323 \| H01L29/45 \| H01S5/343 \| H01L33/12 \| H01L33/06 \| H01L33/14 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/44 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	柳田征史 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81243
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	富士写真フイルム株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	早川利郎. 半導体発光素子. JP1997266352A[P]. 1997-10-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1997266352A.PDF（21KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文