Semiconductor laser and manufacture thereof

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	Semiconductor laser and manufacture thereof
其他题名	Semiconductor laser and manufacture thereof
	OKUDA HAJIME
	1992-08-31
专利权人	TOSHIBA CORP
公开日期	1992-08-31
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To stably oscillate laser light of a single mode and to provide high productivity, high yield and uniform characteristics. CONSTITUTION:An optical waveguide layer 15 formed with a distributed feedback unit such as a diffraction grating 17 and a clad layer 18 formed with a ridge 20 are made of different-component mixed crystals. After the feedback unit is formed on the layer 15, the layer 18 is formed thereon, only the layer 18 is selectively etched with an etchant which does not etch the layer 15 to form the ridge 20 extended in an optical waveguide direction on the layer 15.
其他摘要	用途：稳定振荡单模激光，提供高生产率，高产量和均匀的特性。组成：由分布反馈单元如衍射光栅17和形成有脊20的包层18形成的光波导层15由不同组分的混晶制成。在层15上形成反馈单元之后，在其上形成层18，仅用蚀刻剂选择性地蚀刻层18，蚀刻剂不蚀刻层15以形成在层15上沿光波导方向延伸的脊20。。
申请日期	1991-01-17
专利号	JP1992243183A
专利状态	失效
申请号	JP1991017028
公开（公告）号	JP1992243183A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81102
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TOSHIBA CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	OKUDA HAJIME. Semiconductor laser and manufacture thereof. JP1992243183A[P]. 1992-08-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1992243183A.PDF（119KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文