Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| WATATANI, CHIKARA; TAKEMI, MASAYOSHI; OKUNUKI, YUICHIRO | |
| 2007-11-20 | |
| 专利权人 | MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA |
| 公开日期 | 2007-11-20 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A p-type InP buffer layer containing Zn in a low concentration and an undoped InP buffer layer having a carrier concentration of 3×1017 cm−3 or less are stacked on a p-type InP substrate containing Zn. On the undoped InP buffer layer, a Mg-doped p-type InP cladding layer, an InGaAsP optical confinement layer, an InGaAsP MQW active layer, an n-type InGaAsP optical confinement layer, and an n-type InP cladding layer are successively stacked. The diffusion of Zn from the p-type InP substrate into the InGaAsP MQW active layer is suppressed. Moreover, a steep doping profile can be formed in the vicinity of the active layer so that deterioration of device characteristics is suppressed. |
| 其他摘要 | 在含有Zn的p型InP衬底上堆叠含有低浓度Zn的p型InP缓冲层和载流子浓度为3×1017cm-3或更低的未掺杂InP缓冲层。在未掺杂的InP缓冲层上，依次堆叠Mg掺杂的p型InP包层，InGaAsP光学限制层，InGaAsP MQW有源层，n型InGaAsP光学限制层和n型InP包层。 。抑制了Zn从p型InP衬底向InGaAsP MQW有源层的扩散。此外，可以在有源层附近形成陡峭的掺杂分布，从而抑制器件特性的劣化。 |
| 申请日期 | 2006-04-25 |
| 专利号 | US7298769 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | US11/410057 |
| 公开（公告）号 | US7298769 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | LEYDIG,VOIT & MAYER,LTD. |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81056 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | WATATANI, CHIKARA,TAKEMI, MASAYOSHI,OKUNUKI, YUICHIRO. Semiconductor laser. US7298769[P]. 2007-11-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US7298769.PDF（611KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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