Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 川中 敏; 田中 俊明 | |
| 1994-03-18 | |
| 专利权人 | 株式会社日立製作所 |
| 公开日期 | 1994-03-18 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 光損傷レベルが高く、閾値電流が十分に低い高温高出力動作が可能な半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 半導体基板上にGaInP/AlGaInP量子井戸構造を活性領域としたダブルヘテロ構造を設けた半導体レーザ素子において、GaInP井戸層に半導体基板と格子不整となる圧縮歪を特定量導入し、かつ所定のストライプ幅をもつ屈折率導波構造を設けたことを特徴とする。 【効果】 低閾値で動作し、かつ100℃以上の高温度においても100mW以上の光出力で安定に横基板モードで動作する半導体レーザ素子が得られる。 |
| 其他摘要 | 目的：通过向量子阱层引入特定量的失真，抑制载流子从有源层溢出，降低阈值电流，引入量子尺寸效应并获得具有高发光效率和优异高温操作特性的元件到p型覆层，并指定条带宽度。组成：缓冲层2，包层3，多量子阱结构4，第一包层5，蚀刻停止层6，第二包层7，缓冲层8和盖层顺序层压在一个然后，在用TCVD单元形成SiO2膜之后，在照相步骤中在条带上形成SiO2膜。利用条纹上的SiO2膜作为掩模，通过化学蚀刻去除间隙层，层8和层7，并形成前向台面条纹。在通过两次掩埋生长形成n型GaAs电流阻挡层9和p型GaAs接触层10之后，在p型和n型表面上形成电极11,12。 |
| 申请日期 | 1992-08-25 |
| 专利号 | JP1994077589A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992225619 |
| 公开（公告）号 | JP1994077589A |
| IPC 分类号 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81046 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川中 敏,田中 俊明. 半導体レーザ素子. JP1994077589A[P]. 1994-03-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994077589A.PDF（30KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [川中 敏]的文章 |
| [田中 俊明]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [川中 敏]的文章 |
| [田中 俊明]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [川中 敏]的文章 |
| [田中 俊明]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论