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半導体光増幅器
其他题名半導体光増幅器
河野 健治; 八坂 洋; 笠谷 和生; 竹内 博昭; 曲 克明; 神徳 正樹
1993-03-12
专利权人日本電信電話株式会社
公开日期1993-03-12
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【目的】ゲインに偏波依存性がない半導体光増幅器を得ることを目的とする。 【構成】コアを含む光導波路を多モード光導波路とするとともに、上記コアの一部のみを、ノンドープとして活性層にする。
其他摘要目的:通过使用多模光波导提高波导中导光的限制效率,并通过在多模光波导中形成包括芯的光波导,从而消除增益的模式依赖性,从而形成芯的一部分不要作为活跃层涂料。组成:芯的厚度D形成得很厚(例如,在多模波导中为1μm),并且引导光的核心的限制(f因子)设定为约100%。此外,部分芯的有源层9由i型InGaAsP形成,并且芯的其他部分的层8,10由P型,n型掺杂的InGaAsP形成。也就是说,由于光波导的核心变厚,不仅基本模式而且几乎所有高阶模式都被限制在核心中。结果,层9中的所有模式的GAMMA因子在TE模式和TM模式下变得相等,并且消除了模式的模式依赖性。
申请日期1991-09-02
专利号JP1993063294A
专利状态失效
申请号JP1991221690
公开(公告)号JP1993063294A
IPC 分类号H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人中村 純之助
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81015
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電信電話株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
河野 健治,八坂 洋,笠谷 和生,等. 半導体光増幅器. JP1993063294A[P]. 1993-03-12.
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