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光半導体装置
其他题名光半導体装置
町田 豊稔
1993-04-02
专利权人富士通株式会社
公开日期1993-04-02
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【目的】波長可変領域を有する光半導体装置に関し、波長可変範囲を狭めずに出力光強度を大きくすることを目的とする。 【構成】光波長可変領域12のある光半導体装置において、波長可変領域12内の導波路層5aのバンドギャップ波長を、他の領域の導波路層5bのバンドギャップ波長よりも長くしたことを含み構成する。
其他摘要本发明的一个目的是在不缩小具有波长可变区域的光学半导体器件的波长调谐范围的情况下增加输出光强度。 在具有光学波长可变区域12的光学半导体器件中,包括使波长可变区域12中的波导层5a的带隙波长长于其他区域中的波导层5b的带隙波长。配置。
申请日期1991-09-19
专利号JP1993082887A
专利状态失效
申请号JP1991240029
公开(公告)号JP1993082887A
IPC 分类号H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人岡本 啓三
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80972
专题半导体激光器专利数据库
作者单位富士通株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
町田 豊稔. 光半導体装置. JP1993082887A[P]. 1993-04-02.
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