Semiconductor light emitting device

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	Semiconductor light emitting device
其他题名	Semiconductor light emitting device
	FURUMIYA SATOSHI
	1984-06-29
专利权人	FUJITSU KK
公开日期	1984-06-29
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To enhance the current limiting effect in a light emitting device having a double hetero structure by limiting an active layer by a narrow striped region of a width along an optical axis, increasing the thickness of the section perpendicular to the optical axis of the active layer at the center larger than those of the left and right parts, and approaching the regions between which the striped region is interposed to the active layer to provide a thin insulator layer. CONSTITUTION:An N type InP lower clad layer 12 and a P type InP layer 13 are laminated and epitaxially grown in liquid phase on an N type InP substrate 11, and an SiO2 layer 21 having current limiting function is covered thereon. Then, a hole 21' is opened at the center and a V-shaped groove 22 which is intruded into the layer 12 is formed by etching, an N type InP layer 14 is grown on the overall surface while the film 21 remains, and a lower clad layer 14' is formed in the groove 22. Subsequently, an N type InGaAsP layer 15 is grown on the overall surface, an active layer 15' is formed on the layer 14', and the entire surface is covered with a P type InP upper clad layer 16 and a P type InGaAsP contacting layer 17. In this manner, the active layer 15' is formed in a delta shape having a thick center.
其他摘要	用途：通过沿光轴宽度窄的窄条纹区域限制有源层，增强具有双异质结构的发光器件的限流效果，增加垂直于有源光轴的截面厚度中心处的层大于左右部分的层，并且接近条纹区域插入有源层的区域，以提供薄的绝缘层。组成：N型InP下包层12和P型InP层13层叠并在N型InP衬底11上以液相外延生长，并在其上覆盖具有限流功能的SiO2层21。然后，在中心开口孔21'，通过蚀刻形成侵入层12的V形槽22，在膜21保留的同时在整个表面上生长N型InP层14，并且在沟槽22中形成下包层14'。随后，在整个表面上生长N型InGaAsP层15，在层14'上形成有源层15'，并且用P型覆盖整个表面。 InP上包层16和P型InGaAsP接触层17.以这种方式，有源层15'形成为具有厚中心的三角形。
申请日期	1982-12-20
专利号	JP1984112674A
专利状态	失效
申请号	JP1982223176
公开（公告）号	JP1984112674A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/223 \| H01S5/24 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80861
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU KK
推荐引用方式 GB/T 7714	FURUMIYA SATOSHI. Semiconductor light emitting device. JP1984112674A[P]. 1984-06-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1984112674A.PDF（275KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文