Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| SAKAMOTO MASAMICHI | |
| 1984-04-09 | |
| 专利权人 | SONY KK |
| 公开日期 | 1984-04-09 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To produce the titled laser with less spot strain, easy focusing and optical designing by a method wherein a refractivity guide units are provided on both sides of a light emitting region resultantly to provide a gain guide unit inside. CONSTITUTION:Refractivity guide units 18a, 18b are formed so that they may traverse an active layer 13 at the parts coming into contact with the sides 16a, 16b formed by pelletizing or at the parts coming into contact with the sides 16a, 16b by means of inserting into another active layer 11 or the first clad layer 12 i.e. the ends. On the other hand, a gain guide unit 18c is resultantly formed so that an impurity lead-in layer 17 may not reach the active layers at the central part with inside wall thickness of 15f and the bottom surface of the layer 17 may be contained in the second clad layer 14. The stripe-like region 17 is coated with one electrode by an ohmic connection while the backside of the substrate 11 is coated with the other electrode also by the ohmic connection. |
| 其他摘要 | 目的：通过一种方法生产具有较小光斑应变，易聚焦和光学设计的标题激光器，其中折射率引导单元设置在发光区域的两侧，从而在内部提供增益引导单元。组成：折射率引导单元18a，18b形成为使得它们可以在与通过造粒形成的侧面16a，16b接触的部分处或者在与侧面16a，16b接触的部分处通过有源层13横穿有源层13。插入另一个有源层11或第一包层12即端部。另一方面，结果形成增益引导单元18c，使得杂质引入层17可以不到达内部壁厚度为15f的中心部分处的有源层，并且层17的底表面可以包含在条形区域17通过欧姆连接涂覆有一个电极，而基板11的背面也通过欧姆连接涂覆有另一个电极。 |
| 申请日期 | 1982-09-30 |
| 专利号 | JP1984061981A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1982172201 |
| 公开（公告）号 | JP1984061981A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/10 | H01S5/16 | H01S5/20 | H01S5/223 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80853 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SAKAMOTO MASAMICHI. Semiconductor laser. JP1984061981A[P]. 1984-04-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1984061981A.PDF（440KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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