半導体レーザ及びその製造方法

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	半導体レーザ及びその製造方法
其他题名	半導体レーザ及びその製造方法
	古谷章; 近藤真人; 穴山親志; 菅野真実; 堂免恵; 棚橋俊之
	1993-04-02
专利权人	富士通株式会社
公开日期	1993-04-02
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】本発明は、半導体レーザ及びその製造方法に関し、内部損失及びレーザビームの非点收差を小さくすることができるとともに、電流閉じ込めを良好にすることができる他、セルファラインプロセスでレーザ構造を形成することができ、製造歩留りを良好にすることができる半導体レーザ及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】第1導電型の化合物半導体基板1上にストライプ状の順テーパ斜面を有する溝2が形成され、該基板1上に該溝2部の形を実質的に転写するように少なくとも第1導電型のクラッド層4、活性層5及び該溝2部に対応する領域上にリッジ構造を有する第2導電型のクラッド層6が形成され、該リッジ側部に第1導電型の電流狭窄層9が形成されてなるように構成する。
其他摘要	本发明的一个目的是提供一种半导体激光器及其制造方法，它可以减少激光束的内部损耗和像散，改善电流限制，并且提供一种能够提高制造产量的半导体激光器及其制造方法。在第一导电类型的化合物半导体衬底上形成具有条形前锥形斜面的凹槽，并且至少第一部分凹槽形成在基板上，以便基本上转移凹槽部分的形状。在对应于沟槽2的区域上形成导电类型的包层4，有源层5和具有脊结构的第二导电类型的包层6，以及第一导电类型的电流限制层在基板上形成图9所示的结构。
申请日期	1991-09-20
专利号	JP1993082892A
专利状态	失效
申请号	JP1991241540
公开（公告）号	JP1993082892A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	井桁貞一
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80790
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	富士通株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	古谷章,近藤真人,穴山親志,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1993082892A[P]. 1993-04-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993082892A.PDF（50KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文