Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 高山 徹 | |
| 2005-10-27 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 公开日期 | 2005-10-27 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】3元InGaNよりなるMQW活性層を用いたGaN系半導体発光素子における漏れ電流の増大を防止し、高出力動作可能かつ、長期信頼性を有する発光素子を提供する。 【解決手段】本発明の半導体発光素子は、In1-x-yGaxAlyN(0≦x、y≦1)系材料からなる第1導電型クラッド層(110)と、In1-x-yGaxAlyN(0≦x、y≦1)系材料よりなるバリア層及びIn1-xGaxN(0≦x≦1)系材料よりなる井戸層から構成される量子井戸活性層(115)と、In1-x-yGaxAlyN(0≦x、y≦1)系材料からなる第2導電型クラッド層(120)とを備え、前記各層の構成成分のモル分率が相分離を最小限に抑えるよう(x+2y)が1±0.1の範囲に選択されている。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 提供一种能够防止使用由三元InGaN制成的MQW有源层的GaN基半导体发光元件中的漏电流增加的发光元件，其能够具有高输出操作和长期可靠性。 本发明的半导体发光器件是具有发光层的半导体发光器件，所述发光层包含In 1-xy Ga x Al y N（0.x≤x≤y≤1）。在 1-xy Ga x Al y N（0≤x基于Y 的材（0≤x，y≤1）材料（0≤x，y≤1）基于量子阱有源层（115）和In 1-xy Ga x Al y <选择（X + 2y）在1±0.1的范围内，使得每个层的构成组分的摩尔分数在相分离中最小化。 点域1 |
| 申请日期 | 2004-04-06 |
| 专利号 | JP2005302784A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2004112338 |
| 公开（公告）号 | JP2005302784A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01L21/20 | H01S5/343 | H01S5/223 | H01S5/22 | H01S5/32 | H01L33/32 | H01L21/205 | H01L29/22 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | 特許業務法人池内·佐藤アンドパートナーズ |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80693 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高山 徹. 半導体発光素子及びその製造方法. JP2005302784A[P]. 2005-10-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2005302784A.PDF（142KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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