Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザの製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 冨永 浩司; 土屋 博 | |
| 1993-12-10 | |
| 专利权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 公开日期 | 1993-12-10 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 MOCVD法を用いて、活性層の膜厚が共振器長方向に変化する高出力構造の半導体レーザを製造する。 【構成】 InP基板1上に、MOCVD法によって、光導波路となるリッジ状の多層結晶膜を形成する際、InP基板1上には、前記多層結晶膜が形成されるべき領域を挟んで両側に、選択成長のための一対のマスク2、2を形成する。該マスク2の幅は共振器長方向に変化し、共振器端面の近傍部には細幅部22、共振器中央部には太幅部21を具えている。これによって、前記細幅部22上は薄く、太幅部21上は厚い活性層が成長する。 |
| 其他摘要 | [目的]制造具有高输出结构的半导体激光器，其中有源层的膜厚度通过MOCVD方法在谐振器长度方向上变化。 在InP衬底1上，在InP衬底1上，在要形成多层晶体膜的区域的两侧，通过MOCVD形成用作光波导的脊状多层晶体膜，从而形成一对掩模2用于选择性生长。掩模2的宽度在谐振器长度方向上变化，窄宽度部分22设置在谐振器端面附近，宽幅部分21设置在谐振器的中心部分。结果，有源层在窄部分22上变薄并且在厚部分21上变厚。 |
| 申请日期 | 1992-05-20 |
| 专利号 | JP1993327112A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992127305 |
| 公开（公告）号 | JP1993327112A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 丸山 敏之 (外3名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80676 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冨永 浩司,土屋 博. 半導体レーザの製造方法. JP1993327112A[P]. 1993-12-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993327112A.PDF（40KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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