Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体光素子 | |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 魚見 和久; 鈴木 誠; 青木 雅博; 高橋 誠 | |
| 1999-12-10 | |
| 专利权人 | 株式会社日立製作所 |
| 公开日期 | 2000-02-21 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】本発明はマイナスデチューニング方式と同時に量子井戸構造の量子サイズ効果の両者を両立した半導体光素子を提供する。 【構成】量子井戸構造4の量子サイズ効果を十分に引き出すためにInGaAs等の量子井戸層4aの膜厚を40〜80Åに設定し、さらに活性領域4媒質の利得ピーク波長λgを約57μmに設定しマイナスデチューニングを行うために量子井戸層4aに比較的小さな歪を導入する。 【効果】本発明では、歪量Δa/a、あるいは化合物半導体を構成する元素の組成比を制御することにより、マイナスデチューニング方式と同時に量子井戸構造の量子サイズ効果の両者を両立した半導体光素子を提供することができる。その結果、しきい電流の低減、緩和振動周波数の増大、チャーピングの低減に対して効果がある。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种半导体光学器件，其同时具有负失谐方案和量子阱结构的量子尺寸效应。 为了充分推导量子阱结构4的量子尺寸效应，将InGaAs等的量子阱层4a的厚度设定为40至80，并且将有源区4介质的增益峰值波长λg设定为约57μm。将相对小的失真引入量子阱层4a中以进行设定和减去失谐。 根据本发明，通过控制应变量Δa/ a或构成化合物半导体的元素的组成比，同时具有负失谐方案和量子阱结构的量子尺寸效应的半导体光学器件可以提供。结果，对于降低阈值电流，增加弛豫振荡频率和减少啁啾是有效的。 |
| 申请日期 | 1991-08-22 |
| 专利号 | JP3010817B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991210615 |
| 公开（公告）号 | JP3010817B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S | H01S5/12 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 作田 康夫 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80584 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魚見 和久,鈴木 誠,青木 雅博,等. 半導体光素子. JP3010817B2[P]. 1999-12-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3010817B2.PDF（29KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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