Manufacture of semiconductor laser

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	Manufacture of semiconductor laser
其他题名	Manufacture of semiconductor laser
	WATANABE MINORU; OKAJIMA MASASUE
	1991-12-13
专利权人	株式会社東芝
公开日期	1991-12-13
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To correctly control width of a ridge and thickness of a clad layer to improve manufacturing yield and device characteristics by forming a stripe ridge by means of selective growth. CONSTITUTION:An n-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P clad layer 11, an In0.5Ga0.5P active layer 12 and a p-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P clad layer 13 are formed on an N-GaAs substrate 10. A mask 19 having a stripe opening is formed on the layer 13. A p-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P layer is selectively grown on an exposed part of the layer 13 to form a stripe p-InGaAlP ridge 14. A p-In0.5Ga0.5P easily-power- supplied layer 15 is formed on it. After the mask is removed, a p-GaAs contact layer 16 is formed. A p-side electrode 17 is formed on the layer 16 while an n-side electrode is formed on the substrate 10 side to obtain HBB semiconductor laser.
其他摘要	用途：通过选择性生长形成条纹脊，正确控制脊的宽度和包层的厚度，以提高制造产量和器件特性。组成：n-In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5P包层11，In0.5Ga0.5P有源层12和p-In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5P包层13在层13上形成具有条形开口的掩模19.在层13的暴露部分上选择性地生长p-In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5P层。形成条纹p-InGaAlP脊14.在其上形成p-In0.5Ga0.5P易供电层15。在去除掩模之后，形成p-GaAs接触层16。在层16上形成p侧电极17，同时在基板10侧形成n侧电极，以获得HBB半导体激光器。
申请日期	1990-03-30
专利号	JP1991283693A
专利状态	失效
申请号	JP1990084625
公开（公告）号	JP1991283693A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/227 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80210
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社東芝
推荐引用方式 GB/T 7714	WATANABE MINORU,OKAJIMA MASASUE. Manufacture of semiconductor laser. JP1991283693A[P]. 1991-12-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1991283693A.PDF（193KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文