Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Semiconductor device | |
其他题名 | Semiconductor device |
OE KUNISHIGE | |
1987-09-17 | |
专利权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
公开日期 | 1987-09-17 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To effectively prevent the lateral expansion of the light emitted by an active layer by a method wherein a semiconductor laser and a semiconductor element are composed of a plurality of semiconductor layers, and a part of the side face of the clad layer on a laser part is exposed. CONSTITUTION:A heterojunction bipolar transistor 12, consisting of an AlGaAs layer 2, a GaAs layer 3, an AlGaAs layer 4 and a cap layer 5, and a semiconductor laser 15 are formed on a substrate Both end parts on the lower section of a clad layer 13 and the AlGaAs layer 4 of the part adjoining the clad layer 13 are thinly formed, and the greater part of both side faces 13a and 13b of the clad layer 13 is exposed. As a result, the clad layer 13 has the structure wherein it is adjacent to air, and the difference in refractive index of a light- emitting part and its lateral part becomes great. Accordingly, the lateral leakage of light emitted by an active layer 14 can be prevented effectively. |
其他摘要 | 用途:通过半导体激光器和半导体元件由多个半导体层构成的方法,以及激光器上包层的侧面的一部分,有效地防止有源层发出的光的横向扩展部分暴露。组成:在基板1上形成由AlGaAs层2,GaAs层3,AlGaAs层4和盖层5组成的异质结双极晶体管12,以及半导体激光器15.两个端部在下部包层13和与包层13邻接的部分的AlGaAs层4薄薄地形成,并且包层13的两个侧面13a和13b的较大部分被暴露。结果,包层13具有与空气相邻的结构,并且发光部分及其横向部分的折射率差异变大。因此,可以有效地防止由有源层14发射的光的横向泄漏。 |
申请日期 | 1986-03-13 |
专利号 | JP1987211947A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1986055364 |
公开(公告)号 | JP1987211947A |
IPC 分类号 | H01L27/15 | H01S5/00 | H01S5/026 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80146 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
推荐引用方式 GB/T 7714 | OE KUNISHIGE. Semiconductor device. JP1987211947A[P]. 1987-09-17. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1987211947A.PDF(392KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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