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Semiconductor device
其他题名Semiconductor device
OE KUNISHIGE
1987-09-17
专利权人NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
公开日期1987-09-17
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要PURPOSE:To effectively prevent the lateral expansion of the light emitted by an active layer by a method wherein a semiconductor laser and a semiconductor element are composed of a plurality of semiconductor layers, and a part of the side face of the clad layer on a laser part is exposed. CONSTITUTION:A heterojunction bipolar transistor 12, consisting of an AlGaAs layer 2, a GaAs layer 3, an AlGaAs layer 4 and a cap layer 5, and a semiconductor laser 15 are formed on a substrate Both end parts on the lower section of a clad layer 13 and the AlGaAs layer 4 of the part adjoining the clad layer 13 are thinly formed, and the greater part of both side faces 13a and 13b of the clad layer 13 is exposed. As a result, the clad layer 13 has the structure wherein it is adjacent to air, and the difference in refractive index of a light- emitting part and its lateral part becomes great. Accordingly, the lateral leakage of light emitted by an active layer 14 can be prevented effectively.
其他摘要用途:通过半导体激光器和半导体元件由多个半导体层构成的方法,以及激光器上包层的侧面的一部分,有效地防止有源层发出的光的横向扩展部分暴露。组成:在基板1上形成由AlGaAs层2,GaAs层3,AlGaAs层4和盖层5组成的异质结双极晶体管12,以及半导体激光器15.两个端部在下部包层13和与包层13邻接的部分的AlGaAs层4薄薄地形成,并且包层13的两个侧面13a和13b的较大部分被暴露。结果,包层13具有与空气相邻的结构,并且发光部分及其横向部分的折射率差异变大。因此,可以有效地防止由有源层14发射的光的横向泄漏。
申请日期1986-03-13
专利号JP1987211947A
专利状态失效
申请号JP1986055364
公开(公告)号JP1987211947A
IPC 分类号H01L27/15 | H01S5/00 | H01S5/026 | H01S3/18
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80146
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
OE KUNISHIGE. Semiconductor device. JP1987211947A[P]. 1987-09-17.
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