Semiconductor laser

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	Semiconductor laser
其他题名	Semiconductor laser
	SAKIYAMA HAJIME; TANAKA HARUO; MUSHIGAMI MASAHITO
	1990-08-01
专利权人	ローム株式会社
公开日期	1990-08-01
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To reduce a forward voltage by a method wherein a lower clad layer, an active layer, a first upper clad layer, a photo absorption layer and an evapo ration preventive layer are laminated, a striped groove to reach the first clad layer is bored and when the groove is covered with a second upper clad layer, the first clad layer is formed into a two layer structure and a dopant identical with that in the first upper clad layer is implanted in the interface of the struc ture. CONSTITUTION:An N-type AlxGa1-xAs (x=0.6) lower clad layer 3, an AlxGa1-xAs (x=0.15) active layer 4, a first upper clad layer 5, an N-type GaAs photo absorp tion layer 6 and an N-type AlxGa1-xAs (x=0.15) evaporation preventive layer 7 are laminated in this order on an N-type GaAs substrate 2. At this time, the surface, which corresponds to a striped groove 9, of the layer 5 is formed into a two layer structure and dopant ions identical with a P-type dopant consti tuting the layer 5 are implanted in an interface part 5a of the structure to keep the carrier concentration in the layer 5 high and a series resistance compo nent small. After that, the surface of this layer 5 is covered with a P-type AlyGa1-yAs second upper clad layer 10 including the groove 9.
其他摘要	用途：为了通过层叠下包层，活性层，第一上包层，光吸收层和防蒸发层的方法降低正向电压，到达第一包层的条纹槽是无聊的当沟槽被第二上包层覆盖时，第一包层形成两层结构，并且在结构的界面中注入与第一上包层相同的掺杂剂。组成：N型AlxGa1-xAs（x = 0.6）下包层3，AlxGa1-xAs（x = 0.15）有源层4，第一上包层5，N型GaAs光吸收层6和在N型GaAs衬底2上依次层叠N型Al x Ga 1-x As（x = 0.15）蒸发防止层7.此时，层5的与条纹槽9相对应的表面是形成为两层结构的掺杂剂离子与构成层5的P型掺杂剂相同的掺杂剂离子注入到结构的界面部分5a中，以保持层5中的载流子浓度高并且串联电阻分量小。之后，该层5的表面覆盖有包括凹槽9的P型AlyGa1-yAs第二上包层10。
申请日期	1989-01-24
专利号	JP1990194683A
专利状态	失效
申请号	JP1989014347
公开（公告）号	JP1990194683A
IPC 分类号	H01L21/203 \| H01S5/00 \| H01S5/20 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80126
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ローム株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	SAKIYAMA HAJIME,TANAKA HARUO,MUSHIGAMI MASAHITO. Semiconductor laser. JP1990194683A[P]. 1990-08-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1990194683A.PDF（136KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文