Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种半导体激光器芯片 | |
| 其他题名 | 一种半导体激光器芯片 |
| 周立; 潘之炜; 郭栓银; 谭少阳; 吴涛 | |
| 2017-05-31 | |
| 专利权人 | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 公开日期 | 2017-05-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型公开了一种半导体激光器芯片，其相对的两个外侧分别为作为P电极的P面金属层和作为N电极的N面金属层。P面金属层的内侧为高掺杂低阻层，高掺杂低阻层靠近所述半导体激光器芯片的腔面处的腐蚀有一条平行于腔面的沟槽。在沟槽及边缘区域设置有SiO2绝缘层，P面金属层覆盖高掺杂低阻层的同时还覆盖SiO2绝缘层，使在SiO2绝缘层的窗口内注入的电流不会直接通过高掺杂低阻层扩散到出腔面处，而是在沟槽处被阻挡。本实用新型通过减少腔面附近注入载流子浓度，可减少非辐射复合吸收，达到提高COMD发生电流的效果，能抑制半导体激光器的腔面注入电流密度过大的缺陷。 |
| 其他摘要 | 本实用新型公开了一种半导体激光器芯片，其相对的两个外侧分别为作为P电极的P面金属层和作为N电极的N面金属层。P面金属层的内侧为高掺杂低阻层，高掺杂低阻层靠近所述半导体激光器芯片的腔面处的腐蚀有一条平行于腔面的沟槽。在沟槽及边缘区域设置有SiO2绝缘层，P面金属层覆盖高掺杂低阻层的同时还覆盖SiO2绝缘层，使在SiO2绝缘层的窗口内注入的电流不会直接通过高掺杂低阻层扩散到出腔面处，而是在沟槽处被阻挡。本实用新型通过减少腔面附近注入载流子浓度，可减少非辐射复合吸收，达到提高COMD发生电流的效果，能抑制半导体激光器的腔面注入电流密度过大的缺陷。 |
| 申请日期 | 2016-10-31 |
| 专利号 | CN206211263U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201621153672.7 |
| 公开（公告）号 | CN206211263U |
| IPC 分类号 | H01S5/34 | H01S5/18 | H01S5/24 |
| 专利代理人 | 汤东凤 |
| 代理机构 | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79997 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周立,潘之炜,郭栓银,等. 一种半导体激光器芯片. CN206211263U[P]. 2017-05-31. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN206211263U.PDF（110KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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