면발광형 반도체 레이저

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	면발광형 반도체 레이저
其他题名	면발광형 반도체 레이저
	요시카와마사히로; 야마모토마사테루; 곤도다카시
	2009-08-18
专利权人	후지제롯쿠스 가부시끼가이샤
公开日期	2009-08-18
授权国家	韩国
专利类型	发明申请
摘要	본 발명은 넓은 온도 범위에서 광 출력의 저하를 개선한 면발광형 반도체 레이저를 제공하는 것을 과제로 한다. 기판상에 형성된 N형의 하부 DBR(106)과, 활성 영역(108)과, 활성 영역(108) 위에 형성된 P형의 상부 DBR을 포함한다. 상부 DBR(112)은, 활성 영역에 근접하여 불순물 농도가 낮은 저농도층(112A)과, 이 위에 불순물 농도가높은 고농도층(112B)과, 통상의 불순물 농도의 층(112C)을 포함하고 있고, 저농도층(112A)의 저Al 반도체층의 Al조성은 통상의 층(112C) 저Al 반도체층의 Al 조성보다도 높고, 저농도층(112A)의 불순물 농도가 통상의 층(112C)의 불순물 농도보다도 낮고, 고농도층(112B)의 불순물 농도가 저농도층(112A)의 불순물 농도보다도 높은, 면발광형 반도체 레이저.
其他摘要	发明内容本发明的目的是提供一种表面发射型半导体激光器，其中在宽的温度范围内抑制光输出的劣化。形成在基板上的N型下DBR 106，有源区108和形成在有源区108上的P型上DBR。上DBR 112包括具有低杂质浓度的低浓度层112A，具有高杂质浓度的高浓度层112B，以及具有正常杂质浓度的层112C，低浓度层112A的低Al半导体层的Al组分高于普通层112C的低Al半导体层的Al组分，低浓度层112A的杂质浓度低于普通层112C的杂质浓度。并且，高浓度层（112B）的杂质浓度高于低浓度层（112A）的杂质浓度。
申请日期	2009-01-13
专利号	KR1020090087813A
专利状态	失效
申请号	KR1020090002634
公开（公告）号	KR1020090087813A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/18
专利代理人	MOON DU HYUN \| MOON, KI SANG
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79992
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	후지제롯쿠스 가부시끼가이샤
推荐引用方式 GB/T 7714	요시카와마사히로,야마모토마사테루,곤도다카시. 면발광형 반도체 레이저. KR1020090087813A[P]. 2009-08-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
KR1020090087813A.PDF（628KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文