单片集成的可调谐半导体激光器

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	单片集成的可调谐半导体激光器
其他题名	单片集成的可调谐半导体激光器
	萨姆·戴维斯; N·D·怀特布里德; 安德鲁·沃德; 罗伯特·格里芬
	2017-08-18
专利权人	朗美通技术英国有限公司
公开日期	2017-08-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种单片集成的可调谐半导体激光器，其具有光波导，包括在衬底上具有外延层的激光器芯片，并且具有界定光学增益区段和无源区段的第一反射器和第二反射器，其中反射器中的至少一个是包括光栅并配置成具有可调谐反射光谱的分布式布拉格反射器区段，其中激光器设置有配置为在使用中被电接地的公共接地电极，其中控制电极设置在至少光学增益区段和至少一个分布式布拉格反射器区段中的光波导上，其中无源区段设置有与光波导的与衬底相对的侧电接触的无源区段电极，该无源区段配置为不被电控制信号驱动，且在无源区段内不存在光栅，且其中，该无源区段是接地无源区段，其中无源区段电极配置为在使用中电接地并且与无源区段电接触，且其中无源区段电极和公共接地电极电接触光波导的相对侧。
其他摘要	一种单片集成的可调谐半导体激光器，其具有光波导，包括在衬底上具有外延层的激光器芯片，并且具有界定光学增益区段和无源区段的第一反射器和第二反射器，其中反射器中的至少一个是包括光栅并配置成具有可调谐反射光谱的分布式布拉格反射器区段，其中激光器设置有配置为在使用中被电接地的公共接地电极，其中控制电极设置在至少光学增益区段和至少一个分布式布拉格反射器区段中的光波导上，其中无源区段设置有与光波导的与衬底相对的侧电接触的无源区段电极，该无源区段配置为不被电控制信号驱动，且在无源区段内不存在光栅，且其中，该无源区段是接地无源区段，其中无源区段电极配置为在使用中电接地并且与无源区段电接触，且其中无源区段电极和公共接地电极电接触光波导的相对侧。
申请日期	2015-08-28
专利号	CN107078460A
专利状态	申请中
申请号	CN201580059965.0
公开（公告）号	CN107078460A
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/0625 \| H01S5/026 \| H01S5/125 \| H01S5/12
专利代理人	张瑞 \| 郑霞
代理机构	北京安信方达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79897
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	朗美通技术英国有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	萨姆·戴维斯,N·D·怀特布里德,安德鲁·沃德,等. 单片集成的可调谐半导体激光器. CN107078460A[P]. 2017-08-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107078460A.PDF（3177KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文