Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种GaN衬底激光二极管的制造方法 | |
| 其他题名 | 一种GaN衬底激光二极管的制造方法 |
| 虞浩辉; 周宇杭 | |
| 2013-01-02 | |
| 专利权人 | 江苏威纳德照明科技有限公司 |
| 公开日期 | 2013-01-02 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种GaN衬底激光二极管的制造方法，其包括形成GaN衬底以及依次沉积n型包覆层、n型光导层、有源层、p型阻挡层、p型光导层和p型包覆层。其中形成GaN衬底的方法包括将GaN晶片放入高温高压装置中，对GaN晶片加热的同时加压，加热温度为820～880℃，加压压力为4.1~4.6GPa，保持10～15分钟；停止加热加压，使GaN晶片恢复至常温常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaN晶片。该方法可以明显的减小激光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高激光二极管的性能和寿命。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种GaN衬底激光二极管的制造方法，其包括形成GaN衬底以及依次沉积n型包覆层、n型光导层、有源层、p型阻挡层、p型光导层和p型包覆层。其中形成GaN衬底的方法包括将GaN晶片放入高温高压装置中，对GaN晶片加热的同时加压，加热温度为820～880℃，加压压力为4.1~4.6GPa，保持10～15分钟；停止加热加压，使GaN晶片恢复至常温常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaN晶片。该方法可以明显的减小激光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高激光二极管的性能和寿命。 |
| 申请日期 | 2012-09-20 |
| 专利号 | CN102856787A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201210353018.0 |
| 公开（公告）号 | CN102856787A |
| IPC 分类号 | H01S5/02 |
| 专利代理人 | 黄明哲 |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79627 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 江苏威纳德照明科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 虞浩辉,周宇杭. 一种GaN衬底激光二极管的制造方法. CN102856787A[P]. 2013-01-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102856787A.PDF（286KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [虞浩辉]的文章 |
| [周宇杭]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [虞浩辉]的文章 |
| [周宇杭]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [虞浩辉]的文章 |
| [周宇杭]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论