Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| TAMURA HIDEO; SUZUKI KAZUO; MATSUMOTO KENJI; KURIHARA HARUKI | |
| 1985-10-14 | |
| 专利权人 | TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO |
| 公开日期 | 1985-10-14 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To suppress mode hopping noise and reflecting noise till a high optical output and to stabilize transversal mode, by providing with optical guide means and current stricture means putting the active layer between them, and by injecting current into only a portion of an optical guide region. CONSTITUTION:After an N type GaAs current blocking layer 64 is formed on a P type GaAs substrate 62, a photo resist 66 is formed thereon. By reactive ion- etching using the photo resist 66 as a mask, a groove 68 is formed. After the resist 66 is removed, a P type AlGaAs clad layer 70, an AlGaAs active layer 72 and an N type AlGaAs clad layer 74 are formed with liquid phase crystal growing. After an optical guide region 75 is formed by etching the both sides of the clad layer 74, an N type GaAs optical-absorbing and contacting layer 76 is crystal-grown and electrodes 78, 80 are mounted on the top and bottom faces. |
| 其他摘要 | 目的：为了抑制跳模噪声和反射噪声直到高光输出并稳定横向模式，通过提供光导装置和电流狭窄意味着在它们之间放置有源层，并通过仅向光导的一部分注入电流区域。组成：在P型GaAs衬底62上形成N型GaAs电流阻挡层64后，在其上形成光致抗蚀剂66。通过使用光致抗蚀剂66作为掩模的反应离子蚀刻，形成凹槽68。在去除抗蚀剂66之后，形成P型AlGaAs包层70，AlGaAs有源层72和N型AlGaAs包层74，液相晶体生长。在通过蚀刻包层74的两侧形成光导区域75之后，晶体生长N型GaAs光学吸收和接触层76，并且在顶面和底面上安装电极78,80。 |
| 申请日期 | 1984-03-28 |
| 专利号 | JP1985202978A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1984058139 |
| 公开（公告）号 | JP1985202978A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/223 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79244 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | TAMURA HIDEO,SUZUKI KAZUO,MATSUMOTO KENJI,et al. Semiconductor laser. JP1985202978A[P]. 1985-10-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1985202978A.PDF（249KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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