Manufacture of semiconductor laser

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	Manufacture of semiconductor laser
其他题名	Manufacture of semiconductor laser
	WATANABE MINORU; OKAJIMA MASASUE
	1992-09-25
专利权人	TOSHIBA CORP
公开日期	1992-09-25
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To form a mixed crystal layer having low carrier concentration by forming a dielectric film having a partial opening on a double heterostructure and heat-treating a substrate directly under the film. CONSTITUTION:A double heterostructure in which a quantum well active layer 13 is interposed between InGaAlP clad layers 11 and 15, is formed on an n-type GaAs substrate 10. An SiO2 film 16 having a stripelike opening is formed on the structure. Then, the substrate 10 is heat-treated to form a mixed crystal directly under the film 16 of the layer 13. Then, the layer 13 is buried with a mixed crystal layer 19 having a lower refractive index and larger band gap than those of the layer 13 to form a refractive index waveguide structure.
其他摘要	用途：通过在双异质结构上形成具有部分开口的介电膜并在膜的正下方热处理基板，形成具有低载流子浓度的混晶层。组成：在n型GaAs衬底10上形成双异质结构，其中量子阱有源层13插入在InGaAlP包层11和15之间。在该结构上形成具有条状开口的SiO2薄膜16。然后，对基板10进行热处理，直接在层13的膜16下面形成混合晶体。然后，用具有较低折射率和较大带隙的混合晶体层19掩埋层13。层13形成折射率波导结构。
申请日期	1991-02-26
专利号	JP1992269886A
专利状态	失效
申请号	JP1991031050
公开（公告）号	JP1992269886A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/16 \| H01S5/323 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79215
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TOSHIBA CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	WATANABE MINORU,OKAJIMA MASASUE. Manufacture of semiconductor laser. JP1992269886A[P]. 1992-09-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1992269886A.PDF（172KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文