Semiconductor light emitting device

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	Semiconductor light emitting device
其他题名	Semiconductor light emitting device
	MASUI, YUJI; ARAKIDA, TAKAHIRO; YAMAUCHI, YOSHINORI; KODA, RINTARO; OKI, TOMOYUKI; JOGAN, NAOKI
	2011-06-21
专利权人	SONY CORPORATION
公开日期	2011-06-21
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A semiconductor light emitting device includes a first-conductivity-type first multilayer film reflecting mirror, and a second-conductivity-type second multilayer film reflecting mirror; a cavity layer; and a first conductive section, a second conductive section, and a third conductive section. The cavity layer has a stacked configuration including a first-conductivity-type or undoped first cladding layer, an undoped first active layer, a second-conductivity-type or undoped second cladding layer, a second-conductivity-type first contact layer, a first-conductivity-type second contact layer, a first-conductivity-type or undoped third cladding layer, an undoped second active layer, and a second-conductivity-type or undoped fourth cladding layer. The first conductive section is electrically connected to the first multilayer film reflecting mirror, the second conductive section is electrically connected to the second multilayer film reflecting mirror, and the third conductive section is electrically connected to the first contact layer and the second contact layer.
其他摘要	半导体发光器件包括第一导电型第一多层膜反射镜和第二导电型第二多层膜反射镜;腔层;第一导电部分，第二导电部分和第三导电部分。腔层具有堆叠结构，包括第一导电型或未掺杂的第一包层，未掺杂的第一有源层，第二导电型或未掺杂的第二包层，第二导电型第一接触层，第一- 导电型第二接触层，第一导电型或未掺杂的第三包层，未掺杂的第二有源层和第二导电型或未掺杂的第四包层。第一导电部分电连接到第一多层膜反射镜，第二导电部分电连接到第二多层膜反射镜，第三导电部分电连接到第一接触层和第二接触层。
申请日期	2009-04-21
专利号	US7965750
专利状态	失效
申请号	US12/385811
公开（公告）号	US7965750
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/094
专利代理人	-
代理机构	RADER,FISHMAN & GRAUER PLLC
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79005
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	MASUI, YUJI,ARAKIDA, TAKAHIRO,YAMAUCHI, YOSHINORI,et al. Semiconductor light emitting device. US7965750[P]. 2011-06-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7965750.PDF（1632KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文