Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体素子 | |
| 其他题名 | 半導体素子 |
| 小林 康之; 西田 敏夫; 前田 就彦; 小林 直樹 | |
| 2000-08-11 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 2000-08-11 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 6H-SiC基板上に形成されるにIII族窒化物エピタキシャル成長層にクラックが入りにくく、また、平坦であって伝導性の高いバッファ層を形成でき、高品質なIII族窒化物エピタキシャル成長層を備えた半導体素子を提供する。 【解決手段】 6H-SiC基板上に形成されたIII族窒素物半導体素子において、6H-SiC基板上にボロンを必ず含むB1-X-YAlXGaYN層(0≦X+Y<1、かつ、0≦X<1、かつ、0≦Y<1)をバッファ層として用いる構成とし、平坦で伝導性の高いバッファ層を形成でき、また、その上に形成されるIII族窒化物エピタキシャル成長層にクラックが入りにくく、高品質なものとした。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种半导体元件，其中在6H-SiC衬底上形成的III族氮化物外延生长层中几乎不产生裂缝，其中可以形成平坦且高导电率的缓冲层并且提供该半导体元件具有高质量的III族氮化物外延生长层。解决方案：在6H-SiC衬底1上形成的III族氮化物半导体元件以这样的方式构成：B1-X-YAlXGaYN层（0 <= X + Y <1,0 <= X <1和0在6H-SiC衬底1上确实使用含有硼的<= Y <1）作为缓冲层2.因此，可以形成平坦且导电率高的缓冲层。另外，在其上形成的III族氮化物外延生长层3中几乎不产生裂缝，并且半导体元件的质量变高。 |
| 申请日期 | 1999-02-03 |
| 专利号 | JP2000223788A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999025855 |
| 公开（公告）号 | JP2000223788A |
| IPC 分类号 | H01L33/34 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01L33/12 | H01L33/06 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 高山 道夫 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78996 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 康之,西田 敏夫,前田 就彦,等. 半導体素子. JP2000223788A[P]. 2000-08-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000223788A.PDF（18KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [小林 康之]的文章 |
| [西田 敏夫]的文章 |
| [前田 就彦]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [小林 康之]的文章 |
| [西田 敏夫]的文章 |
| [前田 就彦]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [小林 康之]的文章 |
| [西田 敏夫]的文章 |
| [前田 就彦]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论