Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レ-ザ装置及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レ-ザ装置及びその製造方法 |
| 奥田 肇 | |
| 1994-04-22 | |
| 专利权人 | TOSHIBA CORP |
| 公开日期 | 1994-04-22 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 高出力でかつ高信頼性の半導体レ-ザ装置及びその製造方法を提供する点。 【構成】 n型GaAsコンタクト層は、p型GaAs層とn型GaAs層に成長するために、その結晶内部に欠陥を形成しないので、高出力でかつ高信頼性の半導体レ-ザ装置及びその製造方法が得られる。 |
| 其他摘要 | 用途：通过采用P型衬底和外延在n型GaAs接触层中没有缺陷，制造具有高输出特性和高输出特性的高可靠性半导体激光二极管。组成：P型InGaP层12，P型InGaAlP包层13，非掺杂InGaP有源层14，n型InGaAlP第一包层15，n型InGaP蚀刻停止层16，n型通过低压MOCVD在P型GaAs衬底11上依次生长InGaAlP第二覆层17和n型GaAs层18。然后通过选择性蚀刻去除n型InGaAlP第二包层17和n型GaAs层18，以暴露其上生长P型GaAs电流阻挡层20的蚀刻停止层16。随后，在P型GaAs电流阻挡层20和n型GaAs层18的暴露表面上生长n型GaAs接触层2该方法允许外延生长没有的n型GaAs接触层21。晶体缺陷。 |
| 申请日期 | 1992-09-25 |
| 专利号 | JP1994112590A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992255177 |
| 公开（公告）号 | JP1994112590A |
| IPC 分类号 | H01L21/205 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 大胡 典夫 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78876 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥田 肇. 半導体レ-ザ装置及びその製造方法. JP1994112590A[P]. 1994-04-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994112590A.PDF（23KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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