半導体装置およびその製造方法

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	半導体装置およびその製造方法
其他题名	半導体装置およびその製造方法
	野口裕泰
	1997-06-20
专利权人	SONY CORP
公开日期	1997-06-20
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】 p型II-VI族化合物半導体導電層上にこれとほぼ格子整合した良質でかつ電気的特性が良好なp型III-V族化合物半導体電極層またはp型IV族半導体電極層が設けられた半導体装置を提供する。【解決手段】分子線エピタキシー法によりn型GaAs基板1上にクラッド層、光導波層、活性層などを構成する複数のII-VI族化合物半導体層を順次積層した後、最上層のp型ZnSe層9上にこれとほぼ格子整合するIII-V族化合物半導体またはIV族半導体からなるp型電極層10を積層し、このp型電極層10上にp側電極11を形成するとともに、n型GaAs基板1の裏面にn側電極12を形成して半導体発光素子を製造する。p型電極層10は、基板温度200℃ないし450℃において、原子状または活性水素を照射しつつ、p型ZnSe層9上に成長させる。
其他摘要	要解决的问题：提供一种半导体器件，其中p型III-V族化合物半导体电极层或p型IV族半导体电极层几乎与p型II-VI化合物半导体导电层晶格匹配并且具有高质量并且在导电层上提供优异的电特性。解决方案：以这样的方式制造半导体发光元件：在分别构成包层的多个II-VI化合物半导体层之后，在n型GaAs基板上依次形成光导层，有源层等。如图1所示，通过分子束外延，在层9和p侧上形成由III-V族化合物半导体或IV族半导体构成的p型电极层10，其与最上面的p型ZnSe层9几乎晶格匹配。在层10上形成电极11，然后在基板1的后表面上形成n侧电极12.通过辐射原子或活性氢在ZnSe层9上生长层10，同时衬底温度为保持在200-450摄氏度。
申请日期	1995-12-08
专利号	JP1997162498A
专利状态	失效
申请号	JP1995345540
公开（公告）号	JP1997162498A
IPC 分类号	H01L33/34 \| H01L29/43 \| H01L21/363 \| H01L21/203 \| H01L33/06 \| H01L33/30 \| H01L21/28 \| H01S5/00 \| H01L33/28 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	杉浦正知
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78852
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	野口裕泰. 半導体装置およびその製造方法. JP1997162498A[P]. 1997-06-20.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1997162498A.PDF（57KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文