Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Epitaxial growth method | |
| 其他题名 | Epitaxial growth method |
| TSUKADA TOSHIHISA; SHIGE NORIYUKI | |
| 1977-04-06 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 1977-04-06 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To use the exposed surface of GaAs excluding the GaAlAs layer on the surface thereby easily effecting epitaxy on GaAlAs. |
| 其他摘要 | 目的：使用表面上不包括GaAlAs层的GaAs暴露表面，从而轻松实现GaAlAs上的外延。 |
| 申请日期 | 1975-10-06 |
| 专利号 | JP1977044193A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1975119737 |
| 公开（公告）号 | JP1977044193A |
| IPC 分类号 | H01L21/208 | H01L33/14 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78841 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | TSUKADA TOSHIHISA,SHIGE NORIYUKI. Epitaxial growth method. JP1977044193A[P]. 1977-04-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1977044193A.PDF（138KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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