Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| 内田 憲治; 後藤 順; 河田 雅彦 | |
| 2000-05-30 | |
| 专利权人 | 株式会社日立製作所 |
| 公开日期 | 2000-05-30 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】高効率および高信頼性の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を実現する。 【解決手段】第1クラッド層の成長温度とは異なる温度で、または異なる混晶組成比でピット抑制層を量子井戸発光層下に形成することによって、第1クラッド層からの貫通転移に伴う発光層内でのピット密度を大幅に低減させる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：实现具有高效率和高可靠性的氮化镓基化合物半导体发光器件。 解决方案：通过在与第一包覆层的生长温度不同的温度下或以不同的混合晶体组成比形成量子阱发光层下方的凹坑抑制层，伴随从第一包覆层的穿透过渡的发光从而大大降低了层中的凹坑密度。 |
| 申请日期 | 1998-11-18 |
| 专利号 | JP2000150959A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998327721 |
| 公开（公告）号 | JP2000150959A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01L33/12 | H01L33/06 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78780 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 憲治,後藤 順,河田 雅彦. 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子. JP2000150959A[P]. 2000-05-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000150959A.PDF（25KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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