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Liquid phase epitaxial device
其他题名Liquid phase epitaxial device
AYABE MASAAKI
1977-05-13
专利权人SONY CORP
公开日期1977-05-13
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要PURPOSE:To obtain a liquid phase epitaxial device which is capable of growing epitaxial layers of good crystallinity and even thickness.
其他摘要目的:获得一种液相外延器件,该器件能够生长具有良好结晶度和均匀厚度的外延层。
申请日期1975-11-07
专利号JP1977058361A
专利状态失效
申请号JP1975133774
公开(公告)号JP1977058361A
IPC 分类号H01L29/73 | C30B19/06 | H01L21/208 | H01L21/331 | H01S5/00 | B01J17/20 | H01S3/18
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78758
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SONY CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
AYABE MASAAKI. Liquid phase epitaxial device. JP1977058361A[P]. 1977-05-13.
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JP1977058361A.PDF(149KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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