Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光装置の製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体発光装置の製造方法 |
| 一色 邦彦 | |
| 1993-11-12 | |
| 专利权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 公开日期 | 1993-11-12 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 電流狭窄部と活性層の屈曲部とを位置合わせを必要とせずに一致させることができる半導体発光装置の製造方法を得るものである。 【構成】 半導体基板1の一主面にストライプ状の基板突起部6を形成し、この基板突起部6と同様な形状の下クラッド層2,活性層3,上クラッド層4およびオ-ミックコンタクト層5を順次結晶成長し、前記オ-ミックコンタクト層5表面に前記突起部上では薄く、それ以外では薄いSiO2拡散マスク11を形成し、前記SiO2拡散マスク11の薄い部分では不純物が透膜し、厚い部分では不純物が透膜しないように前記上クラッド層4に達するまで拡散して不純物拡散領域12を形成し、自己整合的に電流狭窄部を形成するものである。 |
| 其他摘要 | 本发明的一个目的是提供一种制造半导体发光器件的方法，该方法能够匹配电流限制部分和有源层的弯曲部分而不需要对准。 一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有形成在其主表面上的条形衬底突起，下覆层，具有与衬底突起相同的形状，有源层，上覆层和欧姆接触层5依次晶体生长，在突出部分上的欧姆接触层5的表面上形成薄的SiO 2 2 扩散掩模11，否则SiO 2 2 杂质在扩散掩模11的薄部分中扩散，扩散直到它到达上包层4，使得杂质不会渗透到厚部分中，并且形成杂质扩散区域12，并且以自对准的方式从而形成电流限制部分。 |
| 申请日期 | 1991-04-03 |
| 专利号 | JP1993299760A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991070760 |
| 公开（公告）号 | JP1993299760A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 高田 守 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78659 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 一色 邦彦. 半導体発光装置の製造方法. JP1993299760A[P]. 1993-11-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993299760A.PDF（27KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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