Semiconductor laser

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	Semiconductor laser
其他题名	Semiconductor laser
	NITTA KOICHI; HATAGOSHI GENICHI; NISHIKAWA YUKIE; SUZUKI MARIKO
	1992-05-07
专利权人	TOSHIBA CORP
公开日期	1992-05-07
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To stabilize an oscillation wavelength by forming a region in which a band gap energy of an active layer of a double hetero structure is larger than the other part by disordering atoms of the active layer in a part of a laser resonator. CONSTITUTION:An oblique part 11 of a plane (111) is, for example, provided on the center of the upper surface of an n-type GaAs substrate 10 of a planar orientation (100). A double hetero structure in which an n-type In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P clad layer 12, an InGaP active layer 13 and a p-type In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P clad layer 14 are sequentially laminated, is formed on the substrate 10, and a stripelike mesa 15 is formed on the layer 14. An n-type GaAs current blocking layer 16 is formed on the side of the mesa 15, and a p-type GaAs ohmic contact layer 17 is formed on the mesa 15 and the layer 16. A p-type side electrode 18 is formed on the layer 17, and an n-type side electrode 19 is formed on the lower surface of the substrate 10. A crystal 20 grown on the surface 11 increases in its band gap energy.
其他摘要	用途：通过在激光谐振器的一部分中使有源层的原子无序化，形成其中双异质结构的有源层的带隙能量大于另一部分的区域来稳定振荡波长。组成：平面（111）的倾斜部分11，例如，设置在平面取向（100）的n型GaAs基板10的上表面的中心。双异质结构，其中n型In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5P包层12，InGaP有源层13和p型In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5P包层依次层叠图14所示的结构，在基板10上形成条状台面15，在层14上形成n型GaAs电流阻挡层16，在台面15的一侧形成n型GaAs电流阻挡层16和p型GaAs欧姆在台面15和层16上形成接触层17.在层17上形成p型侧电极18，在基板10的下表面上形成n型侧电极19.晶体20在表面11上生长的带隙能量增加。
申请日期	1990-09-25
专利号	JP1992133381A
专利状态	失效
申请号	JP1990254886
公开（公告）号	JP1992133381A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78323
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TOSHIBA CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	NITTA KOICHI,HATAGOSHI GENICHI,NISHIKAWA YUKIE,et al. Semiconductor laser. JP1992133381A[P]. 1992-05-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1992133381A.PDF（248KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文