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半導体レーザ素子
其他题名半導体レーザ素子
田中 俊明; 渡辺 明禎; 内田 憲治; 赤松 正一
1997-02-18
专利权人株式会社日立製作所
公开日期1997-02-18
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【目的】 本発明の目的は、低閾値で動作する青紫色波長域のレ-ザ素子を実現させることにある。 【構成】 (0001)C面を有するサファイア基板1上に中央部にストライプ状の窓をあけたTiの窒化物TiNx(0x(0x(0
其他摘要本发明的一个目的是实现一种在低阈值下工作的蓝紫色波段的激光元件。 TiN x (0 X 沉积(0 X (0
申请日期1995-08-09
专利号JP1997051139A
专利状态失效
申请号JP1995203057
公开(公告)号JP1997051139A
IPC 分类号H01S5/323 | H01S5/343 | H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人小川 勝男
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78229
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社日立製作所
推荐引用方式
GB/T 7714
田中 俊明,渡辺 明禎,内田 憲治,等. 半導体レーザ素子. JP1997051139A[P]. 1997-02-18.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
JP1997051139A.PDF(53KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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