Semiconductor laser device

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	Semiconductor laser device
其他题名	Semiconductor laser device
	KUME MASAHIRO; WADA MASARU
	1989-09-05
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	1989-09-05
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To enable the manufacture of a device at a low cost by a method wherein a silicon film whose thickness is 7/100-8/100 of a wavelength is coated on an aluminum film coated on an end face whose thickness corresponds to one-fourth of a wavelength, which are sealed with a transparent plastic resin of a refractive index of 3-6. CONSTITUTION:A semiconductor laser element 1 and a photodiode 3 are buried in a transparent plastic resin 2 in place of a cap provided with a window glass. In this process, an aluminum film 7 1/4 as thick as a wavelength and a silicon film 8 7/100-8/100 as thick as a wavelength are laminated on both the end faces of the passivation film of the laser element 1, whereby the refrectivity of both the end faces decreases to about 32% when the element 1 is buried in the resin of a refractive index of 3-6. Therefore, a laser oscillating threshold current and a differential quantum efficiency of the element 1 are made equal to those of a conventional element, so that the element 1 does not vary in characteristic. By these processes, a package can be decreased in cost, a divergence angle can be controlled, and the element is also excellent in heat dissipation and hermetic sealing.
其他摘要	目的：通过一种方法，以低成本制造器件，其中厚度为7 / 100-8 / 100波长的硅膜涂在涂在端面上的铝膜上，其厚度相当于一个 - 波长的四分之一，用折射率为3-6的透明塑料树脂密封。组成：半导体激光元件1和光电二极管3埋在透明塑料树脂2中，代替设有窗玻璃的盖子。在该工艺中，在激光元件1的钝化膜的两个端面上层叠厚度为波长7/4的铝膜和厚度为波长8 7 / 100-8 / 100的硅膜，因此，当元件1埋入折射率为3-6的树脂中时，两个端面的折射率降低到约32％。因此，使元件1的激光振荡阈值电流和差分量子效率等于传统元件的激光振荡阈值电流和差分量子效率，使得元件1的特性不会改变。通过这些工艺，可以降低封装成本，可以控制发散角，并且元件在散热和气密密封方面也是优异的。
申请日期	1988-03-01
专利号	JP1989222492A
专利状态	失效
申请号	JP1988048048
公开（公告）号	JP1989222492A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/022 \| H01S5/028 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78219
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	KUME MASAHIRO,WADA MASARU. Semiconductor laser device. JP1989222492A[P]. 1989-09-05.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1989222492A.PDF（82KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文