OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
光デバイス
其他题名光デバイス
曲 克明; 笠谷 和生; 湯田 正宏; 鈴木 安弘; 三冨 修; 永沼 充
1994-06-10
专利权人日本電信電話株式会社
公开日期1994-06-10
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【目的】 半導体基板上に集積化した半導体レーザと導波路とを高結合効率にて形成したものである。 【構成】 半導体レーザ1と導波路2とのそれぞれのコア3,4をその端面側にてテーパ状に形成して、モードフィールド径を拡大するようにしたものである。
其他摘要目的:通过在锥形状态下形成激光器和波导的核心部分,在沟槽附近具有窄的芯宽度,从而提高半导体激光器和光波导之间的耦合效率。组成:当从顶部看时,半导体激光器1和波形部分2的磁芯3和4从磁芯宽度变窄(锥形磁芯6)朝向凹槽5,使得它们的磁芯宽度可以变成其宽度的约1/5。因此,从激光器1引导的光的模场直径在槽5的侧壁上的激光器1的芯的端面上扩大,而不会由于锥形芯6和衍射效果减小。另一方面,由于波导2侧的纤芯宽度也随着离沟槽5越来越大而逐渐增大,因此在沟槽5的侧面上扩大的模场直径再次返回到由波导尺寸决定的尺寸。因此,可以改善激光器1和波导部分2之间的耦合效率,因为扩大的光束在凹槽5附近彼此耦合。
申请日期1992-11-24
专利号JP1994163874A
专利状态失效
申请号JP1992313167
公开(公告)号JP1994163874A
IPC 分类号G02B6/12 | H01L27/15 | H01S5/026 | G02B6/122 | H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人光石 俊郎 (外1名)
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78167
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電信電話株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
曲 克明,笠谷 和生,湯田 正宏,等. 光デバイス. JP1994163874A[P]. 1994-06-10.
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JP1994163874A.PDF(39KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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