Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
光デバイス | |
其他题名 | 光デバイス |
曲 克明; 笠谷 和生; 湯田 正宏; 鈴木 安弘; 三冨 修; 永沼 充 | |
1994-06-10 | |
专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
公开日期 | 1994-06-10 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 【目的】 半導体基板上に集積化した半導体レーザと導波路とを高結合効率にて形成したものである。 【構成】 半導体レーザ1と導波路2とのそれぞれのコア3,4をその端面側にてテーパ状に形成して、モードフィールド径を拡大するようにしたものである。 |
其他摘要 | 目的:通过在锥形状态下形成激光器和波导的核心部分,在沟槽附近具有窄的芯宽度,从而提高半导体激光器和光波导之间的耦合效率。组成:当从顶部看时,半导体激光器1和波形部分2的磁芯3和4从磁芯宽度变窄(锥形磁芯6)朝向凹槽5,使得它们的磁芯宽度可以变成其宽度的约1/5。因此,从激光器1引导的光的模场直径在槽5的侧壁上的激光器1的芯的端面上扩大,而不会由于锥形芯6和衍射效果减小。另一方面,由于波导2侧的纤芯宽度也随着离沟槽5越来越大而逐渐增大,因此在沟槽5的侧面上扩大的模场直径再次返回到由波导尺寸决定的尺寸。因此,可以改善激光器1和波导部分2之间的耦合效率,因为扩大的光束在凹槽5附近彼此耦合。 |
申请日期 | 1992-11-24 |
专利号 | JP1994163874A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1992313167 |
公开(公告)号 | JP1994163874A |
IPC 分类号 | G02B6/12 | H01L27/15 | H01S5/026 | G02B6/122 | H01S5/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | 光石 俊郎 (外1名) |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78167 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 曲 克明,笠谷 和生,湯田 正宏,等. 光デバイス. JP1994163874A[P]. 1994-06-10. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1994163874A.PDF(39KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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