Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体素子の製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体素子の製造方法 |
| 岡本 重之; 冨永 浩司; 畑 雅幸 | |
| 2000-07-14 | |
| 专利权人 | 三洋電機株式会社 |
| 公开日期 | 2000-07-14 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 分離が容易でかつ歩留りの高い半導体素子の製造方法を提供することである。 【解決手段】 サファイア基板1のc面上に、低温バッファ層2、第1の高温バッファ層3、第2の高温バッファ層4、n-コンタクト層5、量子障壁層6aと量子井戸層6bとを交互に積層してなるMQW発光層6、保護層7、p-クラッド層8およびp-コンタクト層9を順に成長させる。次に、p-コンタクト層9からサファイア基板1に至る割り溝50をダイシングにより形成する。このようにして割り溝50を形成した後、割り溝50の内面のp-コンタクト層9からn-コンタクト層5までをエッチングし、n-コンタクト層5が露出してなるn側電極形成領域51を形成する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种以高产率制造易分离的半导体元件的方法。解决方案：低温缓冲层2，第一高温缓冲层3，第二高温缓冲层4，n接触层5，MQW发光层6，包括量子势垒层6a和量子阱的交替叠层在蓝宝石衬底1的表面上依次生长层6b，保护层7，p覆层8和p接触层9.然后从p接触层9到蓝宝石制成切割沟槽50基板1通过切割。随后，在切割沟槽50的内表面上从p接触层9到n接触层5执行蚀刻，以形成n-侧电极形成区域51，其中n-接触层5被暴露。 |
| 申请日期 | 1998-12-28 |
| 专利号 | JP2000196145A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998372687 |
| 公开（公告）号 | JP2000196145A |
| IPC 分类号 | H01S5/02 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01L33/12 | H01L33/06 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 福島 祥人 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78135 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡本 重之,冨永 浩司,畑 雅幸. 半導体素子の製造方法. JP2000196145A[P]. 2000-07-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000196145A.PDF（54KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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