Semiconductor laser

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	Semiconductor laser
其他题名	Semiconductor laser
	YOKOYAMA HIROYUKI; NISHI KENICHI
	1986-10-11
专利权人	NEC CORP
公开日期	1986-10-11
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain a self-pulsating LD characterized by excellent stability and reproducibility, by forming a saturable absorbing region comprising a multiplex quantum well structure of a semiconductor as a unitary body together with the LD. CONSTITUTION:On an N-type GaAs substrate 103, an N-type GaAs buffer layer 104, an N-type Al0.4Ga0.6As clad layer 105, a non-doped Al0.05Ga0.95As active layer 106, a P-type Al0.4Ga0.6As clad layer 107 and a P-type GaAs cap layer 108 are formed by an MO-CVD method. A stripe shaped SiO2 mask is attached on the cap layer 108, and a part other than the stripe part is removed to the substrate 103 by chemical etching. A P-type Al0.4Ga0.6As layer 109 and an N- type Al0.4Ga0.6As layer 110 are grown in embedded manner by the MO-CVD method. After the substrate 103 is lapped to a suitable thickness, electrodes 111 and 111' are evaporated. Then cleavage is formed. On the cleaved plane, which is vertical to the direction of a resonator, a non-doped GaAs layers 112 and non-doped Al0.4Ga0.6As layer 113 are grown. Either of the layers 112 and the layers 113 have 50 layers. A saturable absorbing region 102 is manufactured.
其他摘要	目的：通过与LD一起形成包括半导体的多重量子阱结构作为整体的可饱和吸收区，获得具有优异稳定性和再现性的自脉冲LD。组成：在N型GaAs衬底103上，N型GaAs缓冲层104，N型Al0.4Ga0.6As包层105，非掺杂Al0.05Ga0.95As有源层106，P型通过MO-CVD法形成Al0.4Ga0.6As包层107和P型GaAs盖层108。条形SiO 2掩模附着在盖层108上，并且通过化学蚀刻将除条形部分之外的部分去除到基板103。通过MO-CVD方法以嵌入方式生长P型Al0.4Ga0.6As层109和N-型Al0.4Ga0.6As层110。在将衬底103研磨至合适的厚度之后，蒸发电极111和111'。然后形成切割。在垂直于谐振器方向的解理面上，生长非掺杂的GaAs层112和未掺杂的Al0.4Ga0.6As层113。层112和层113中的任一层具有50层。制造可饱和吸收区域102。
申请日期	1985-04-02
专利号	JP1986228692A
专利状态	失效
申请号	JP1985069348
公开（公告）号	JP1986228692A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/028 \| H01S5/06 \| H01S5/065 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77864
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	YOKOYAMA HIROYUKI,NISHI KENICHI. Semiconductor laser. JP1986228692A[P]. 1986-10-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1986228692A.PDF（328KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文